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IXFN 64N60P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
40
63
12
1150
80
28
S
nF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D =0.5 I D25
R G = 1 ? (External)
23
79
ns
ns
M4 screws (4x) supplied
Dim. Millimeter
Inches
t f
24
ns
A
Min. Max.
31.50 31.88
Min. Max.
1.240 1.255
Q g(on)
200
nC
B
C
7.80
4.09
8.20
4.29
0.307
0.161
0.323
0.169
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
70
68
0.05
0.18
nC
nC
°C/W
°C/W
D
E
F
G
H
J
K
L
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
M
N
O
12.60
25.15
1.98
12.85
25.42
2.13
0.496
0.990
0.078
0.506
1.001
0.084
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
P
Q
R
S
T
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
I S
V GS = 0 V
64
A
U
-0.05
0.1
-0.002
0.004
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
0.6
6.0
150
1.5
200
A
V
ns
μ C
A
Notes:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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